Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bag
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  100 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  20A
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  5V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.5V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  ±15V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• хусусияти fet
  Logic Level Gate, 4V Drive
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  105W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  175°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-220
• баста / парванда
  TO-220-3