MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR

MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR

Истеҳсолкунанда

Micron Technology

Категорияи маҳсулот

хотира

Тавсифи

IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    Automotive, AEC-Q100
  • баста
    Tape & Reel (TR)
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи хотира
    Volatile
  • формати хотира
    DRAM
  • технология
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • андозаи хотира
    8Gb (256M x 32)
  • интерфейси хотира
    -
  • басомади соат
    1.866 GHz
  • вақти навиштани давра - калима, саҳифа
    -
  • вақти дастрасӣ
    -
  • таъминоти шиддат
    1.1V
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    200-WFBGA
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    200-WFBGA (10x14.5)

MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 4424
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
13.96500
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:13.96500