Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  1000 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  145A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  78mOhm @ 72.5A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  5V @ 20mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  1068 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±30V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  28500 pF @ 25 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  3250W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Chassis Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  SP6
• баста / парванда
  SP6