Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tape & Reel (TR)
• ҳолати қисм
  Active
• конфигуратсияи рондашуда
  Half-Bridge
• навъи канал
  Independent
• шумораи ронандагон
  2
• навъи дарвоза
  N-Channel MOSFET
• таъминоти шиддат
  8V ~ 12.6V
• шиддати мантиқӣ - vil, vih
  0.8V, 2V
• ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
  3A, 3A
• навъи вуруд
  Non-Inverting
• шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
  125 V
• вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
  50ns, 40ns
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-SOIC-EP