Мушаххасоти

• силсила
  BIMOSFET™
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи igbt
  -
• конфигуратсия
  Full Bridge
• шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
  3000 V
• ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
  34 A
• қувват - макс
  150 W
• vce(дар) (макс) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 20A
• ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)
  -
• иқтидори вуруди (cies) @ vce
  -
• вуруд
  Standard
• термистори ntc
  No
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  24-SMD Module, 9 Leads
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  24-SMPD