Мушаххасоти

• силсила
  BIMOSFET™
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Not For New Designs
• навъи igbt
  -
• шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
  3600 V
• ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
  70 A
• ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
  220 A
• vce(дар) (макс) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• қувват - макс
  430 W
• иваз кардани энергия
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• навъи вуруд
  Standard
• пардохти дарвоза
  110 nC
• td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
  18ns/238ns
• ҳолати санҷиш
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• вақти барқарорсозии баръакс (trr)
  1.7 µs
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-268