Мушаххасоти

• силсила
  BIMOSFET™
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи igbt
  -
• шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
  1700 V
• ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
  80 A
• ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
  300 A
• vce(дар) (макс) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 42A
• қувват - макс
  360 W
• иваз кардани энергия
  -
• навъи вуруд
  Standard
• пардохти дарвоза
  188 nC
• td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
  -
• ҳолати санҷиш
  -
• вақти барқарорсозии баръакс (trr)
  1.32 µs
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• баста / парванда
  TO-247-3
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-247AD (IXBH)