Мушаххасоти

• силсила
  BIMOSFET™
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи igbt
  -
• шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
  3000 V
• ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
  50 A
• ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
  140 A
• vce(дар) (макс) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 20A
• қувват - макс
  250 W
• иваз кардани энергия
  -
• навъи вуруд
  Standard
• пардохти дарвоза
  105 nC
• td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
  -
• ҳолати санҷиш
  -
• вақти барқарорсозии баръакс (trr)
  1.35 µs
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• баста / парванда
  TO-247-3
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-247AD (IXBH)