Мушаххасоти

• силсила
  BIMOSFET™
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи igbt
  NPT
• шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
  3000 V
• ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
  38 A
• ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
  120 A
• vce(дар) (макс) @ vge, ic
  2.7V @ 15V, 14A
• қувват - макс
  200 W
• иваз кардани энергия
  -
• навъи вуруд
  Standard
• пардохти дарвоза
  62 nC
• td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
  40ns/166ns
• ҳолати санҷиш
  960V, 14A, 20Ohm, 15V
• вақти барқарорсозии баръакс (trr)
  1.4 µs
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-263