Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tape & Reel (TR)
• ҳолати қисм
  Active
• конфигуратсияи рондашуда
  Low-Side
• навъи канал
  Single
• шумораи ронандагон
  1
• навъи дарвоза
  IGBT, SiC MOSFET
• таъминоти шиддат
  -10V ~ 25V
• шиддати мантиқӣ - vil, vih
  1V, 2.2V
• ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
  9A, 9A
• навъи вуруд
  CMOS, TTL
• шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
  -
• вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
  10ns, 10ns
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 125°C (TA)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  16-SOIC-EP