Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• конфигуратсияи рондашуда
  High-Side
• навъи канал
  Single
• шумораи ронандагон
  1
• навъи дарвоза
  IGBT, N-Channel MOSFET
• таъминоти шиддат
  12V ~ 20V
• шиддати мантиқӣ - vil, vih
  0.8V, 2.5V
• ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
  290mA, 600mA
• навъи вуруд
  Non-Inverting
• шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
  600 V
• вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
  80ns, 40ns
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• баста / парванда
  8-DIP (0.300", 7.62mm)
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-PDIP