Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Obsolete
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  20 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  60A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  4.5V, 10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  8.4mOhm @ 15A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.55V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  1190 pF @ 10 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  48W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  IPAK (TO-251)
• баста / парванда
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA