IRFL4105TRPBF

IRFL4105TRPBF

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    HEXFET®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    55 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    3.7A (Ta)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    45mOhm @ 3.7A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    35 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    660 pF @ 25 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    1W (Ta)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    SOT-223
  • баста / парванда
    TO-261-4, TO-261AA

IRFL4105TRPBF Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 23945
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.87000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.87000