IRF9952TRPBF

IRF9952TRPBF

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо

Тавсифи

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    HEXFET®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N and P-Channel
  • хусусияти fet
    Logic Level Gate
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    30V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    3.5A, 2.3A
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    100mOhm @ 2.2A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    1V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    14nC @ 10V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    190pF @ 15V
  • қувват - макс
    2W
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-SO

IRF9952TRPBF Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 26633
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.78000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.78000