Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• конфигуратсияи рондашуда
  Half-Bridge
• навъи канал
  Independent
• шумораи ронандагон
  2
• навъи дарвоза
  IGBT, N-Channel MOSFET
• таъминоти шиддат
  10V ~ 20V
• шиддати мантиқӣ - vil, vih
  0.8V, 2.7V
• ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
  1.9A, 2.3A
• навъи вуруд
  Non-Inverting
• шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
  600 V
• вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
  40ns, 20ns
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• баста / парванда
  8-DIP (0.300", 7.62mm)
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-PDIP