IPP80R750P7XKSA1

IPP80R750P7XKSA1

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    CoolMOS™ P7
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    800 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    7A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    750mOhm @ 2.7A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    3.5V @ 140µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    17 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    460 pF @ 500 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    51W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PG-TO220-3
  • баста / парванда
    TO-220-3

IPP80R750P7XKSA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 12190
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.76000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.76000