IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    OptiMOS™
  • баста
    Tape & Reel (TR)
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    30 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    22A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    4.5V, 10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    14.6mOhm @ 22A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    2.2V @ 10µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    14 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±16V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    980 pF @ 25 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    31W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PG-TO263-3-2
  • баста / парванда
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB22N03S4L15ATMA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 20288
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.03635
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.03635