MURT10040

MURT10040

Истеҳсолкунанда

GeneSiC Semiconductor

Категорияи маҳсулот

диодҳо - росткунҷаҳо - массивҳо

Тавсифи

DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • конфигуратсияи диод
    -
  • навъи диод
    Standard
  • шиддат - DC баръакс (vr) (макс)
    400 V
  • ҷорӣ - миёнаи ислоҳшуда (io) (дар як диод)
    100A (DC)
  • шиддат - ба пеш (vf) (макс) @ агар
    1.35 V @ 50 A
  • суръат
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    90 ns
  • ҷорӣ - ихроҷи баръакс @ vr
    25 µA @ 50 V
  • ҳарорати корӣ - пайванд
    -40°C ~ 175°C
  • навъи насб
    Chassis Mount
  • баста / парванда
    Three Tower
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    Three Tower

MURT10040 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 1379
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
90.97240
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:90.97240