MBR40080CTR

MBR40080CTR

Истеҳсолкунанда

GeneSiC Semiconductor

Категорияи маҳсулот

диодҳо - росткунҷаҳо - массивҳо

Тавсифи

DIODE MODULE 80V 400A 2TOWER

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • конфигуратсияи диод
    1 Pair Common Anode
  • навъи диод
    Schottky
  • шиддат - DC баръакс (vr) (макс)
    80 V
  • ҷорӣ - миёнаи ислоҳшуда (io) (дар як диод)
    400A (DC)
  • шиддат - ба пеш (vf) (макс) @ агар
    840 mV @ 200 A
  • суръат
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    -
  • ҷорӣ - ихроҷи баръакс @ vr
    5 mA @ 20 V
  • ҳарорати корӣ - пайванд
    -
  • навъи насб
    Chassis Mount
  • баста / парванда
    Twin Tower
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    Twin Tower

MBR40080CTR Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 1459
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
81.33480
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:81.33480