EPC2029

EPC2029

Истеҳсолкунанда

EPC

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

GANFET N-CH 80V 48A DIE

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    eGaN®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    80 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    48A (Ta)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    5V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    3.2mOhm @ 30A, 5V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    2.5V @ 12mA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    13 nC @ 5 V
  • vgs (максимум)
    +6V, -4V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1410 pF @ 40 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    -
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    Die
  • баста / парванда
    Die

EPC2029 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 8376
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
6.70000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:6.70000