1N4006-G

1N4006-G

Истеҳсолкунанда

Comchip Technology

Категорияи маҳсулот

диодҳо - росткунҷаҳо - ягона

Тавсифи

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tape & Box (TB)
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи диод
    Standard
  • шиддат - DC баръакс (vr) (макс)
    800 V
  • ҷорӣ - миёнаи ислоҳшуда (io)
    1A
  • шиддат - ба пеш (vf) (макс) @ агар
    1.1 V @ 1 A
  • суръат
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    -
  • ҷорӣ - ихроҷи баръакс @ vr
    5 µA @ 800 V
  • иқтидори @ vr, f
    15pF @ 4V, 1MHz
  • навъи насб
    Through Hole
  • баста / парванда
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    DO-41
  • ҳарорати корӣ - пайванд
    -55°C ~ 150°C

1N4006-G Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 287438
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.03491
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.03491